2月18日，中国碳化硅衬底企业迎来好消息。日本权威行业调研机构富士经济公布了《2024年版新一代功率器件&相关市场现状和展望》报告，围绕世界SiC/GaN的动向以及材料供不应求角度展开了分析和预测。据报告测算，2023年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率前三的

　　报告指出，在电动汽车、电力设备以及能源领域驱动下，SiC功率器件市场需求整体坚挺，2030年SiC功率器件市场规模将达到近150亿美元，占到整体功率器件市场约24%，2035年则有望超过200亿美元，届时SiC器件市场规模将占到整体功率器件的40%以上。为此，业内主要厂家都在积极进行扩建以及做好设备投资的准备，特别是中国企业，除满足本国需求外，开始不断扩张世界范围内的市场占有率。其中备受关注的依然是衬底材料。

　　根据报告分析，全球SiC衬底销售主要分布在四大市场，日本17.4%、中国24.4%、北美20%、欧洲29%。欧洲已成为全球最大的SiC衬底市场，报告指出：天岳先进先后和英飞凌博世签订了长期供应协议，2023年和英飞凌签订了新的供应协议。

　　天岳先进在导电型碳化硅衬底产能和规模化供应能力上持续展现超预期成果。通过与英飞凌、博世集团的长期供应协议，天岳先进在技术实力和规模化供应能力上展现突出优势，推动业绩的快速增长。销售规模的持续扩大的基础，来自于该公司以技术为支撑的产能提升上的良好进展。2023年5月天岳先进上海工厂启用，目前仍处于产能提升阶段。

　　天岳先进长期专注SiC衬底积累的技术实力，在产能和客户端已形成了独有的优势。继半绝缘型碳化硅衬底市占率连续4年位居全球前三以来，导电型衬底市占率提升至世界第二也得益于长期的技术积累。该公司在8英寸产品上也处于领先地位。

　　功率半导体行业在低碳化和电气化时代将继续获得蓬勃的发展动力，碳化硅为代表的宽禁带半导体材料和器件将继续成为这一领域关注的焦点。稳定的供应和质量保障成为占领市场高地的重要抓手，我们期待中国企业在世界半导体行业取得更耀眼的成绩。

　　声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

　　近日中科院物理研究所在官网发文表示，科研人员通过优化生长工艺，进一步解决了多型相变问题，持续改善晶体结晶质量，成功生长出单一4H晶型的8英寸SiC晶体，加工出厚度

　　产业而言，上游产能扩充是现今各大厂商所一直努力的方向。可以看到过去一年里，海内外都持续投入到包括

　　芯片在未来2至3年都将呈现供不应求的态势。DIGITIMES Research预测，2030年

　　的研发进度大幅拉近了与海外领先玩家的差距，另一方面是产能扩张上的投入越来越大。这使得国内在

　　极管是单极器件，没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态，所涉及的电荷只有结耗尽区电荷，而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断

　　MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。

　　的固有优势有很多，如高临界击穿电压、高温操作、具有优良的导通电阻/片芯面积和开关损耗、快速开关等。最近，UnitedSiC采用常关

　　是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，

　　封装基板在耐温、抗电磁波、抗震与耐腐蚀等要求上更胜于传统封装基板,因此确保汽车零件的质量并保障驾驶及乘客的生命安全是所有车厂最重

　　10.5公斤/平方厘米，高温强度很好。抗弯强度直至1400℃仍不受温度的影响。1500℃时，弹性模量仍有100公斤/平方厘米。上述数据均测自大块材料。4)热膨胀系数较低，导热性好。5)

　　(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状

　　器件（单极性器件），在工作过程中不会发生少数载流子存储的现象，也不会产生过大的正反向切换瞬态冲击电流，只有结电容放电

　　材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国

　　作为最典型的宽禁带半导体材料，近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能

　　极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅

　　分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和

　　MOSFET芯片的半桥功率模块系列产品型号BMF600R12MCC4BMF400R12MCC4汽车级全

　　(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥

　　解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝

　　做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！

　　材料的耐磨与抗震等机械性能优良，能保证其长久的使用寿命。根据时报，新能源汽车电源模块至2020年

　　好，硬度大（莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级））、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。由于天然含量甚少，

　　上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在

　　制造 提供关键半导体赋能技术，支持汽车电动化和工业系统能效提升等转型目标 意法半导体(简称ST)和世界先驱的创新半导体材料设计制造

　　上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。在SiC器件的产业链中，由于

　　收益在2022年至2027年期间预计将以35%的复合年增长率从12亿美元增长至53亿美元。到2029年，

　　（SiC）这种半导体材料因其在电力电子应用中的出色表现引起了广泛的关注。对晶圆和器件的研究在近年来已经取得很大进展。

　　主要用于微波电子、电力电子等领域，处于宽禁带半导体产业链的前端，是前沿、基础的核心关键材料。

　　有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的

　　外延片后进一步加工制成，品种包括SBD（肖特基二极管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极性晶体管）等，主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。